7
Календарь конференций
  • 16 февраля – 16 декабря

    Всероссийский конкурс - Олимпиада "Кристальное дерево знаний", посвященный году экологии

  • 20 – 22 сентября

    Международная школа-семинар «Моделирование гидрогеологических процессов: от теоретических представлений до решения практических задач», посвященная 90-летию со дня рождения заслуженного профессора МГУ Всеволода Михайловича Шестакова

  • 26 сентября – 2 октября

    Всероссийская конференция с международным участием и школа для молодых ученых «Эволюционная и функциональная морфология позвоночных» памяти Феликса Яновича Дзержинского

  • 30 сентября

    Косинус Пи I Международный конкурс синхронных / последовательных устных переводчиков

  • 26 сентября – 2 октября

    Всероссийская конференция с международным участием и школа для молодых ученых «Эволюционная и функциональная морфология позвоночных» памяти Феликса Яновича Дзержинского

  • 6 октября

    Международная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых «Эволюция права-2017»

  • 7 октября

    Фестиваль науки в ИСАА МГУ

  • 11 – 13 октября

    Вторая Ассамблея «Педагог XXI века»

  • 16 октября

    70 лет голосованию ГА ОНН. Израилю быть?

  • 26 октября

    II Международная конференция «Инновационная экономика и менеджмент: методы и технологии»

  • 24 – 26 ноября

    VII Международная конференция-конкурс «Инновационные информационно-педагогические технологии в системе ИТ-образования»

  • 16 февраля – 16 декабря

    Всероссийский конкурс - Олимпиада "Кристальное дерево знаний", посвященный году экологии

Все конференции

В МГУ показали возможность создания полевых транзисторов на основе соединения вольфрама и серы

Ученые физического факультета и Международного учебно-научного лазерного центра МГУ имени М.В.Ломоносова показали, что эффективные полевые транзисторы можно создать на основе тонкой пленки, полученной жидкофазным методом из суспензии дисульфида вольфрама. Исследование было опубликовано в Journal of Materials Science.

Полевой транзистор — это преобразователь сопротивления, который управляется напряжением электрического тока. Полевые транзисторы являются основой современной электроники: это ключевые элементы микропроцессоров, которые используются почти в любом электронном устройстве, например, электронных наручных часах, блоке питания компьютера и т.д. Обычно в полевых транзисторах в качестве полупроводника используется монокристаллический кремний, однако его производство является дорогостоящим.

После открытия графена в научном сообществе резко возрос интерес к так называемым двумерным полупроводящим материалам, в частности, к дихалькогенидам переходных металлов (ДПМ), в качестве кандидатов на роль заменителя кремния. Дихалькогениды переходных металлов — это вещества, имеющие формулу МХ2, где М — это переходный металл, а Х — сера (халькоген).

«Ученые ранее уже продемонстрировали, что частицы этих веществ обладают феноменальными электрическими характеристиками, что открывает большие возможности применения этих материалов в электронике. Однако во всех предыдущих работах исследования проводились на хлопьях ДПМ — небольших плоских частицах в несколько атомарных слоев и с продольными размерами в 100-500 нм, которые слишком малы для создания электронных устройств на практике», — поясняет один из авторов исследования, профессор кафедры общей физики и волновых процессов физического факультета МГУ, доктор физико-математических наук Дмитрий Паращук.

В данном исследовании были впервые получены тонкие пленки WS2 (дисульфида вольфрама), в которых наночешуйки расположены упорядоченно и практически параллельно подложке. В полученных из коммерческой суспензии WS2 пленках вначале было достаточно высокое остаточное содержание углерода, но он был удален с помощью отжига в парах серы в вакуумной камере. Анализ элементного состава пленки производился c помощью спектроскопии (методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния). Морфология — внешний вид поверхности — была получена с помощью атомно-силового микроскопа. Электрические характеристики были исследованы методом полевых транзисторов.

Данное исследование является первым шагом на пути к применению ДПМ в печатной электронике.

«Следующим шагом для улучшения свойств полученных из раствора пленок ДПМ будет использование неорганических растворителей, так как в органических растворителях в больших количествах содержится углерод, являющийся основной причиной ухудшения электрических свойств пленок», — заключает Дмитрий Паращук.

Работа проводилась совместно с учеными из Сколковского института науки и технологий и Центра исследований и разработок Nokia в Кембридже (Великобритания).

Рассказать об открытии можно, заполнив следующую форму.