4
Календарь конференций
  • 23 – 24 мая

    Международная научно-практическая конференция "Новые Идеи в Геологии Нефти и Газа - 2019"

  • 27 – 31 мая

    Международная конференция «Фундаментальные концепции физики почв: развитие, современные приложения и перспективы», посвященная 90-летию со дня рождения профессора МГУ А.Д.Воронина

  • 31 мая – 1 июня

    XXI международная конференция «Россия и Запад: диалог культур»

  • 17 декабря – 31 мая

    Универсиада «Ломоносов» по политологии

  • 31 мая – 1 июня

    XXI международная конференция «Россия и Запад: диалог культур»

  • 10 – 12 июня

    International conference “Recent Advances in Theoretical Physics of Fundamental Interactions”

  • 29 июня – 4 июля

    VII международный научно-образовательный форум молодых исследователей «Языки. Культуры. Перевод»

  • 29 июня – 4 июля

    VII международный научно-образовательный форум молодых исследователей «Языки. Культуры. Перевод»

  • 12 – 13 сентября

    47-ая Международная научно-практическая конференция «Татуровские чтения», посвященная 90-летию профессора А.Д. Шеремета на тему «Реформирование бухгалтерского учета, аудита и бухгалтерского образования в соответствии с международными стандартами в условия

  • 13 – 15 сентября

    III всероссийская молодежная школа-конференция с международным участием «Молекулярные механизмы регуляции физиологических функций»

  • 21 – 24 ноября

    IV Международная научная конференция «Конвергентные когнитивно-информационные технологии»

  • 29 ноября

    Кристаллохимия в пространстве и времени: научные чтения, посвященные 70-летию кафедры кристаллографии и кристаллохимии Геологического факультета МГУ

Все конференции
Конкурсы на замещение должностей научных и педагогических работников
Олимпиады школьников и универсиады в МГУ
Единая поисковая система по зарубежным базам данных
Гранты Президента РФ
Программы дополни-
тельного образования
«Университет без границ»
Мероприятия для школьников и учителей

Мономолекулярная электроника

Исследователи физического факультета МГУ совместно с российскими и немецкими коллегами создали органические транзисторы и интегральные схемы на ультратонком активном слое толщиной в одну молекулу.

Органическая электроника обещает широкий спектр устройств (дисплеи, микросхемы, датчики и т.д.), которые могут быть сверхтонкими, легкими, гибкими и прозрачными и при этом дешевыми, что открывает новые применения, недоступные традиционной кремниевой электронике. Преимущества органической электроники также в том, что электронные устройства могут быть созданы с помощью т.н. «мокрых» технологий, т.е. нанесены на подложку из раствора методом струйной печати, распыления из аэрозольного баллончика и др. Одним из основных устройств здесь является органический полевой транзистор (ОПТ); по своей структуре он аналогичен обычному полевому транзистору. Электрический ток в ОПТ идет главным образом по тонкому слою органической полупроводниковой пленки толщиной в несколько нанометров. И, если удается получить мономолекулярную пленку с хорошо упорядоченной структурой, на этом слое можно создать ультратонкие и эффективные органические транзисторы. Ранее эффективные монослойные ОПТ получали методом молекулярной самосборки (self-assembled monolayer, SAM), для этого подложку надо было погружать в раствор, содержащий полупроводниковые органические молекулы, и ждать много часов, чтобы молекулы «прилипли» к подложке и образовали упорядоченный слой.

В своей работе, недавно опубликованной в журнале Applied Physics Letters (http://dx.doi.org/10.1063/1.4816839), исследователи с физического факультета МГУ под руководством доцента кафедры общей физики и волновых процессов Дмитрия Паращука совместно с коллегами из Института синтетических полимерных материалов РАН (ИСПМ РАН) изготовили работающие ультратонкие ОПТ, где монослой молекул толщиной в 3.5 нм нанесли методом Ленгмюра-Блоджетт. Нанесение данным методом занимает всего несколько минут. Вначале мономолекулярный кристаллический слой образуется на поверхности воды, а после переносится на подложку с электродами, при этом не теряя внутренней высокоорганизованной структуры. Полученные ОПТ обладали электрическими характеристиками, которые были не хуже, чем при использовании более затратной по времени SAM. Важно, что в отличие от метода SAM, ленгмюровская пленка очень слабо связана с подложкой, что, однако, не мешает хорошей работе ОПТ. Исследователи также изготовили интегральные схемы из большого числа ОПТ (инвертор и генератор), в чем им помогли немецкие коллеги из Института Макса Планка в Майнце. Выполненная работа открывает заманчивые перспективы производства ультратонкой электроники на основе метода Ленгмюра-Блоджетт.

Исследование проведено с применением оборудования, поставленного в рамках Программы развития МГУ.

По материалам с сайта физического факультета МГУ