17
Календарь конференций
  • 22 – 28 августа

    19 Международная Ломоносовская конференция по физике элементарных частиц

  • 14 – 15 октября

    Московская осенняя международная конференция по перовскитной фотовольтаике

  • 21 – 24 ноября

    XIV Международная научно-практическая конференция «Современные информационные технологии и ИТ-образование»

  • 21 – 22 ноября

    Международная научная конференция Хачатуровские чтения - 2019 «Устойчивое развитие и новые модели экономики"

  • 21 – 24 ноября

    IV Международная научная конференция «Конвергентные когнитивно-информационные технологии»

  • 26 – 27 ноября

    Всероссийская научная конференция, посвященная 50-летию кафедры этики «Этика в современном философском дискурсе: проблемы и перспективы»

  • 4 – 7 декабря

    XLV Международная конференция Общества по изучению культуры США "Иммиграция и американская культура - Immigration and American Culture"

  • 27 января – 1 февраля

    Восьмая школа-конференция «Алгебры Ли, алгебраические группы и теория инвариантов»

  • 27 января – 1 февраля

    Восьмая школа-конференция «Алгебры Ли, алгебраические группы и теория инвариантов»

  • 28 – 29 марта

    Четвёртая Открытая Конференция Юных Учёных

Все конференции

Мономолекулярная электроника

Исследователи физического факультета МГУ совместно с российскими и немецкими коллегами создали органические транзисторы и интегральные схемы на ультратонком активном слое толщиной в одну молекулу.

Органическая электроника обещает широкий спектр устройств (дисплеи, микросхемы, датчики и т.д.), которые могут быть сверхтонкими, легкими, гибкими и прозрачными и при этом дешевыми, что открывает новые применения, недоступные традиционной кремниевой электронике. Преимущества органической электроники также в том, что электронные устройства могут быть созданы с помощью т.н. «мокрых» технологий, т.е. нанесены на подложку из раствора методом струйной печати, распыления из аэрозольного баллончика и др. Одним из основных устройств здесь является органический полевой транзистор (ОПТ); по своей структуре он аналогичен обычному полевому транзистору. Электрический ток в ОПТ идет главным образом по тонкому слою органической полупроводниковой пленки толщиной в несколько нанометров. И, если удается получить мономолекулярную пленку с хорошо упорядоченной структурой, на этом слое можно создать ультратонкие и эффективные органические транзисторы. Ранее эффективные монослойные ОПТ получали методом молекулярной самосборки (self-assembled monolayer, SAM), для этого подложку надо было погружать в раствор, содержащий полупроводниковые органические молекулы, и ждать много часов, чтобы молекулы «прилипли» к подложке и образовали упорядоченный слой.

В своей работе, недавно опубликованной в журнале Applied Physics Letters (http://dx.doi.org/10.1063/1.4816839), исследователи с физического факультета МГУ под руководством доцента кафедры общей физики и волновых процессов Дмитрия Паращука совместно с коллегами из Института синтетических полимерных материалов РАН (ИСПМ РАН) изготовили работающие ультратонкие ОПТ, где монослой молекул толщиной в 3.5 нм нанесли методом Ленгмюра-Блоджетт. Нанесение данным методом занимает всего несколько минут. Вначале мономолекулярный кристаллический слой образуется на поверхности воды, а после переносится на подложку с электродами, при этом не теряя внутренней высокоорганизованной структуры. Полученные ОПТ обладали электрическими характеристиками, которые были не хуже, чем при использовании более затратной по времени SAM. Важно, что в отличие от метода SAM, ленгмюровская пленка очень слабо связана с подложкой, что, однако, не мешает хорошей работе ОПТ. Исследователи также изготовили интегральные схемы из большого числа ОПТ (инвертор и генератор), в чем им помогли немецкие коллеги из Института Макса Планка в Майнце. Выполненная работа открывает заманчивые перспективы производства ультратонкой электроники на основе метода Ленгмюра-Блоджетт.

Исследование проведено с применением оборудования, поставленного в рамках Программы развития МГУ.

По материалам с сайта физического факультета МГУ