13
Календарь конференций
  • 23 – 24 мая

    Международная научно-практическая конференция "Новые Идеи в Геологии Нефти и Газа - 2019"

  • 28 – 31 мая

    Международная конференция, посвящённая 90-летию кафедры высшей алгебры механико-математического факультета МГУ

  • 10 – 12 июня

    International conference “Recent Advances in Theoretical Physics of Fundamental Interactions”

  • 12 – 13 сентября

    47-ая Международная научно-практическая конференция «Татуровские чтения», посвященная 90-летию профессора А.Д. Шеремета на тему «Реформирование бухгалтерского учета, аудита и бухгалтерского образования в соответствии с международными стандартами в условия

  • 13 – 15 сентября

    III всероссийская молодежная школа-конференция с международным участием «Молекулярные механизмы регуляции физиологических функций»

  • 23 – 25 октября

    Международная научно-практическая конференция «Предвузовская подготовка иностранных граждан в РФ: история и современность»

  • 21 – 24 ноября

    IV Международная научная конференция «Конвергентные когнитивно-информационные технологии»

  • 28 – 30 ноября

    VII Международная научная конференция «Текст: проблемы и перспективы. Аспекты изучения в целях преподавания русского языка как иностранного

  • 28 – 29 марта

    Четвёртая Открытая Конференция Юных Учёных

Все конференции
Конкурсы на замещение должностей научных и педагогических работников
«Университет без границ»
Программы поддержки талантливой молодежи
Олимпиады школьников и универсиады в МГУ
Гранты Президента РФ
Программы дополни-
тельного образования
Мероприятия для школьников и учителей

Память вывели на печать

Исследователи из Nokia и МГУ создают устройства памяти нового поколения, которые можно напечатать на струйном принтере.

Современные электронные устройства могут показаться чуть ли не совершенными по сравнению с аналогами 20-летней давности. Тем не менее, в различных лабораториях мира активно ведутся работы по созданию электроники на новых принципах. И если оптические или квантовые компьютеры пока далеки от попадания на полки магазинов, то более простые, но все же совсем немыслимые еще недавно вещи, уже анонсированы ведущими производителями. Именно так обстоит дело с мемристорами. Предсказанные еще 40 лет назад, но полученные в лаборатории фирмы HP лишь в 2008 году, эти устройства обещают кое-что изменить в привычном нам мире компьютеров.

Мемристоры — это устройства, где электрическое сопротивление имеет так называемый эффект памяти — оно переменно и зависит от того, какой через него прошел заряд или было приложено напряжение. Иными словами, они способны сохранять и переключать свои состояния, а поэтому являются одними из самых перспективных кандидатов на роль элементов памяти последнего поколения. Их принципиальное отличие от уже существующих носителей информации — возможность хранения нескольких уровней информации в одной ячейке. Компании HP и Hynix анонсировали выход первых продуктов (флэш-памяти) на основе мемристоров в 2015 году.

Неудивительно, что это направление активно развивается. Недавно группа российских ученых из Nokia Labs Skolkovo и Московского государственного университета получила новый образец мемристоров на основе слоистых дисульфидов молибдена и вольфрама с уникальными свойствами. Во-первых, их способ производства можно свести к обычной струйной печати на специальном принтере, а, во-вторых, они обладают широким диапазоном изменения сопротивления — от 102 до 108 Ом (6 порядков) и низким значением потенциала переключения — 0.1–0.2 В, что превосходит характеристики аналогичных устройств на основе других соединений. Работа исследователей недавно была опубликована в журнале Nature Materials.

«Созданные нами мемристоры превосходят по диапазону переключения сопротивлений то, что сделано на оксиде графена и диоксиде титана, где диапазон переключений составляет около 3–4 порядков, — рассказывает Дмитрий Петухов, единственный участник исследования из МГУ, работающий в должности младшего научного сотрудника на химическом факультете. Но основная «фишка» статьи в том, что мы впервые показали возможность использования слоистых соединений на основе дисульфидов молибдена и вольфрама для изготовления мемристоров». Из таких соединений, по словам ученого, мемристоры можно изготавливать очень простым методом — печатью на гибких подложках, в отличие от распространенных технологий на основе диоксида титана, где, например, применяются методы магнетронного напыления или анодного окисления плохо совместимые с методами гибкой печатной электроники. «На полимерной подложке печатается нижний контакт, потом слой активного вещества, который специально обрабатывается —окисляется термически или под действием УФ-света, — потом верхний контакт. То есть структура получается методом струйной печати. Это распространенный технологический метод, есть промышленные струйные принтеры, которые используются для печати электрических схем», — рассказывает учёный.

По его словам, эксперименты по печати мемристоров проводились в лаборатории Nokia, а исследования резистивности устройств методом спектроскопии импеданса и интерпретация данных проводились им в МГУ, в обсуждении с коллегами кафедры неорганической химии химического факультета.

Иван Охапкин, к.х.н.,
Управление инновационной политики
и международных научных связей