9
Календарь конференций
  • 22 – 28 августа

    19 Международная Ломоносовская конференция по физике элементарных частиц

  • 12 – 13 сентября

    47-ая Международная научно-практическая конференция «Татуровские чтения», посвященная 90-летию профессора А.Д. Шеремета

  • 13 – 15 сентября

    III всероссийская молодежная школа-конференция с международным участием «Молекулярные механизмы регуляции физиологических функций»

  • 17 сентября – 10 декабря

    Серия образовательных мероприятий компании Elsevier по подготовке научных публикаций на английском языке в высокорейтинговых журналах для сотрудников МГУ

  • 25 октября

    Ежегодная Международная научно-практическая конференция «Тункинские чтения»

  • 5 – 6 ноября

    Международная конференция «Язык. Мысль. Текст»

  • 28 – 30 ноября

    VII Международная научная конференция «Текст: проблемы и перспективы. Аспекты изучения в целях преподавания русского языка как иностранного»

  • 17 сентября – 10 декабря

    Серия образовательных мероприятий компании Elsevier по подготовке научных публикаций на английском языке в высокорейтинговых журналах для сотрудников МГУ

  • 27 января – 1 февраля

    Восьмая школа-конференция «Алгебры Ли, алгебраические группы и теория инвариантов»

  • 27 января – 1 февраля

    Восьмая школа-конференция «Алгебры Ли, алгебраические группы и теория инвариантов»

  • 28 – 29 марта

    Четвёртая Открытая Конференция Юных Учёных

Все конференции
Конкурсы на замещение должностей научных и педагогических работников
«Университет без границ»
Проект «Вернадский»
Программы дополни-
тельного образования
Единая поисковая система по зарубежным базам данных
Программы поддержки талантливой молодежи
Гранты Президента РФ

Память вывели на печать

Исследователи из Nokia и МГУ создают устройства памяти нового поколения, которые можно напечатать на струйном принтере.

Современные электронные устройства могут показаться чуть ли не совершенными по сравнению с аналогами 20-летней давности. Тем не менее, в различных лабораториях мира активно ведутся работы по созданию электроники на новых принципах. И если оптические или квантовые компьютеры пока далеки от попадания на полки магазинов, то более простые, но все же совсем немыслимые еще недавно вещи, уже анонсированы ведущими производителями. Именно так обстоит дело с мемристорами. Предсказанные еще 40 лет назад, но полученные в лаборатории фирмы HP лишь в 2008 году, эти устройства обещают кое-что изменить в привычном нам мире компьютеров.

Мемристоры — это устройства, где электрическое сопротивление имеет так называемый эффект памяти — оно переменно и зависит от того, какой через него прошел заряд или было приложено напряжение. Иными словами, они способны сохранять и переключать свои состояния, а поэтому являются одними из самых перспективных кандидатов на роль элементов памяти последнего поколения. Их принципиальное отличие от уже существующих носителей информации — возможность хранения нескольких уровней информации в одной ячейке. Компании HP и Hynix анонсировали выход первых продуктов (флэш-памяти) на основе мемристоров в 2015 году.

Неудивительно, что это направление активно развивается. Недавно группа российских ученых из Nokia Labs Skolkovo и Московского государственного университета получила новый образец мемристоров на основе слоистых дисульфидов молибдена и вольфрама с уникальными свойствами. Во-первых, их способ производства можно свести к обычной струйной печати на специальном принтере, а, во-вторых, они обладают широким диапазоном изменения сопротивления — от 102 до 108 Ом (6 порядков) и низким значением потенциала переключения — 0.1–0.2 В, что превосходит характеристики аналогичных устройств на основе других соединений. Работа исследователей недавно была опубликована в журнале Nature Materials.

«Созданные нами мемристоры превосходят по диапазону переключения сопротивлений то, что сделано на оксиде графена и диоксиде титана, где диапазон переключений составляет около 3–4 порядков, — рассказывает Дмитрий Петухов, единственный участник исследования из МГУ, работающий в должности младшего научного сотрудника на химическом факультете. Но основная «фишка» статьи в том, что мы впервые показали возможность использования слоистых соединений на основе дисульфидов молибдена и вольфрама для изготовления мемристоров». Из таких соединений, по словам ученого, мемристоры можно изготавливать очень простым методом — печатью на гибких подложках, в отличие от распространенных технологий на основе диоксида титана, где, например, применяются методы магнетронного напыления или анодного окисления плохо совместимые с методами гибкой печатной электроники. «На полимерной подложке печатается нижний контакт, потом слой активного вещества, который специально обрабатывается —окисляется термически или под действием УФ-света, — потом верхний контакт. То есть структура получается методом струйной печати. Это распространенный технологический метод, есть промышленные струйные принтеры, которые используются для печати электрических схем», — рассказывает учёный.

По его словам, эксперименты по печати мемристоров проводились в лаборатории Nokia, а исследования резистивности устройств методом спектроскопии импеданса и интерпретация данных проводились им в МГУ, в обсуждении с коллегами кафедры неорганической химии химического факультета.

Иван Охапкин, к.х.н.,
Управление инновационной политики
и международных научных связей