2
Календарь конференций
  • 1 ноября – 31 мая

    Универсиада по лингвистике, регионоведению и культурологии

  • 11 января – 31 мая

    Универсиада "Ломоносов" по международным отношениям 2020/2021 учебного года

  • 20 января – 30 мая

    Универсиада "Ломоносов" по ПОЧВОВЕДЕНИЮ и ЭКОЛОГИИ 2020/21

  • 15 декабря – 15 мая

    Универсиада "Ломоносов" по актуальным проблемам мировой экономики 2021

  • 17 – 18 мая

    Современные методы изучения сербского языка в синхронии и диахронии

  • 20 января – 30 мая

    Универсиада "Ломоносов" по ПОЧВОВЕДЕНИЮ и ЭКОЛОГИИ 2020/21

  • 20 декабря – 31 мая

    Универсиада "Ломоносов" по геологии

  • 11 января – 31 мая

    Универсиада "Ломоносов" по международным отношениям 2020/2021 учебного года

  • 20 декабря – 31 мая

    Универсиада "Ломоносов" по политологии в 2020-2021 учебном году

  • 1 ноября – 31 мая

    Универсиада по лингвистике, регионоведению и культурологии

  • 15 декабря – 31 мая

    Универсиада «Ломоносов» по фундаментальной физико-химической инженерии

  • 10 декабря

    Международная конференция по общему языкознанию «Наследие трудов Ю.В. Рождественского в XXI веке» — к 95-летию со дня рождения Юрия Владимировича Рождественского (1926-1999)

Все конференции
«Университет без границ»
Электронная трудовая книжка

Программы поддержки талантливой молодежи
Единая поисковая система по зарубежным базам данных
Конкурсы на замещение должностей научных и педагогических работников
Гранты Президента РФ
Программы дополни-
тельного образования

В МГУ показали возможность создания полевых транзисторов на основе соединения вольфрама и серы

Ученые физического факультета и Международного учебно-научного лазерного центра МГУ имени М.В.Ломоносова показали, что эффективные полевые транзисторы можно создать на основе тонкой пленки, полученной жидкофазным методом из суспензии дисульфида вольфрама. Исследование было опубликовано в Journal of Materials Science.

Полевой транзистор — это преобразователь сопротивления, который управляется напряжением электрического тока. Полевые транзисторы являются основой современной электроники: это ключевые элементы микропроцессоров, которые используются почти в любом электронном устройстве, например, электронных наручных часах, блоке питания компьютера и т.д. Обычно в полевых транзисторах в качестве полупроводника используется монокристаллический кремний, однако его производство является дорогостоящим.

После открытия графена в научном сообществе резко возрос интерес к так называемым двумерным полупроводящим материалам, в частности, к дихалькогенидам переходных металлов (ДПМ), в качестве кандидатов на роль заменителя кремния. Дихалькогениды переходных металлов — это вещества, имеющие формулу МХ2, где М — это переходный металл, а Х — сера (халькоген).

«Ученые ранее уже продемонстрировали, что частицы этих веществ обладают феноменальными электрическими характеристиками, что открывает большие возможности применения этих материалов в электронике. Однако во всех предыдущих работах исследования проводились на хлопьях ДПМ — небольших плоских частицах в несколько атомарных слоев и с продольными размерами в 100-500 нм, которые слишком малы для создания электронных устройств на практике», — поясняет один из авторов исследования, профессор кафедры общей физики и волновых процессов физического факультета МГУ, доктор физико-математических наук Дмитрий Паращук.

В данном исследовании были впервые получены тонкие пленки WS2 (дисульфида вольфрама), в которых наночешуйки расположены упорядоченно и практически параллельно подложке. В полученных из коммерческой суспензии WS2 пленках вначале было достаточно высокое остаточное содержание углерода, но он был удален с помощью отжига в парах серы в вакуумной камере. Анализ элементного состава пленки производился c помощью спектроскопии (методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния). Морфология — внешний вид поверхности — была получена с помощью атомно-силового микроскопа. Электрические характеристики были исследованы методом полевых транзисторов.

Данное исследование является первым шагом на пути к применению ДПМ в печатной электронике.

«Следующим шагом для улучшения свойств полученных из раствора пленок ДПМ будет использование неорганических растворителей, так как в органических растворителях в больших количествах содержится углерод, являющийся основной причиной ухудшения электрических свойств пленок», — заключает Дмитрий Паращук.

Работа проводилась совместно с учеными из Сколковского института науки и технологий и Центра исследований и разработок Nokia в Кембридже (Великобритания).

Рассказать об открытии можно, заполнив следующую форму.