14
Календарь конференций
  • 18 – 20 октября

    Всероссийская конференция с международным участием «Почвенно-экологические исследования окружающей среды лизиметрическими методами»

  • 26 – 27 октября

    VI Международная научно-практическая конференция «Инновационная экономика и менеджмент: методы и технологии»

  • 9 – 12 ноября

    4-я международная школа по квантовым технологиям

  • 16 – 19 ноября

    200 лет Греческой революции (1821 – 2021): история, литература, культура

  • 16 ноября

    IV Всероссийская научно-практическая конференция с международным участием «Социальная динамика населения и устойчивое развитие»

  • 19 – 20 ноября

    Юбилейная конференция кафедры прикладной институциональной экономики экономического факультета МГУ имени М.В. Ломоносова

  • 23 – 26 ноября

    СОВМЕСТНАЯ XXII Международная научно-практическая конференция юридического факультета МГУ имени М.В.Ломоносова и XX Международная научно-практическая конференция "Кутафинские чтения" «Роль права в обеспечении благополучия человека»

  • 24 – 27 ноября

    XVI Международная научно-практическая конференция «Современные информационные технологии и ИТ-образование»

  • 25 – 26 ноября

    VII Юбилейные Соколовские научные чтения «Жанр романа: его прошлое, настоящее и будущее в русской литературе»

  • 10 декабря

    Международная конференция по общему языкознанию «Наследие трудов Ю.В. Рождественского в XXI веке» — к 95-летию со дня рождения Юрия Владимировича Рождественского (1926-1999)

Все конференции

В МГУ показали возможность создания полевых транзисторов на основе соединения вольфрама и серы

Ученые физического факультета и Международного учебно-научного лазерного центра МГУ имени М.В.Ломоносова показали, что эффективные полевые транзисторы можно создать на основе тонкой пленки, полученной жидкофазным методом из суспензии дисульфида вольфрама. Исследование было опубликовано в Journal of Materials Science.

Полевой транзистор — это преобразователь сопротивления, который управляется напряжением электрического тока. Полевые транзисторы являются основой современной электроники: это ключевые элементы микропроцессоров, которые используются почти в любом электронном устройстве, например, электронных наручных часах, блоке питания компьютера и т.д. Обычно в полевых транзисторах в качестве полупроводника используется монокристаллический кремний, однако его производство является дорогостоящим.

После открытия графена в научном сообществе резко возрос интерес к так называемым двумерным полупроводящим материалам, в частности, к дихалькогенидам переходных металлов (ДПМ), в качестве кандидатов на роль заменителя кремния. Дихалькогениды переходных металлов — это вещества, имеющие формулу МХ2, где М — это переходный металл, а Х — сера (халькоген).

«Ученые ранее уже продемонстрировали, что частицы этих веществ обладают феноменальными электрическими характеристиками, что открывает большие возможности применения этих материалов в электронике. Однако во всех предыдущих работах исследования проводились на хлопьях ДПМ — небольших плоских частицах в несколько атомарных слоев и с продольными размерами в 100-500 нм, которые слишком малы для создания электронных устройств на практике», — поясняет один из авторов исследования, профессор кафедры общей физики и волновых процессов физического факультета МГУ, доктор физико-математических наук Дмитрий Паращук.

В данном исследовании были впервые получены тонкие пленки WS2 (дисульфида вольфрама), в которых наночешуйки расположены упорядоченно и практически параллельно подложке. В полученных из коммерческой суспензии WS2 пленках вначале было достаточно высокое остаточное содержание углерода, но он был удален с помощью отжига в парах серы в вакуумной камере. Анализ элементного состава пленки производился c помощью спектроскопии (методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния). Морфология — внешний вид поверхности — была получена с помощью атомно-силового микроскопа. Электрические характеристики были исследованы методом полевых транзисторов.

Данное исследование является первым шагом на пути к применению ДПМ в печатной электронике.

«Следующим шагом для улучшения свойств полученных из раствора пленок ДПМ будет использование неорганических растворителей, так как в органических растворителях в больших количествах содержится углерод, являющийся основной причиной ухудшения электрических свойств пленок», — заключает Дмитрий Паращук.

Работа проводилась совместно с учеными из Сколковского института науки и технологий и Центра исследований и разработок Nokia в Кембридже (Великобритания).

Рассказать об открытии можно, заполнив следующую форму.