Размер шрифта:
  • А
  • А
  • А
Цветовая схема:
  • А
  • А
  • А
Календарь конференций
  • 7 – 10 декабря

    18-я Международная конференция «Государственное управление: современные вызовы»

  • 8 декабря

    XI международная научно-практическая конференция НАММИ. Актуальные проблемы медиаисследований – 2021

  • 10 декабря

    Международная студенческая конференция «История России и Германии: актуальные темы и обмен опытом между молодыми учёными» | Studentische Kolloquium «Deutsche und russische Geschichte: Aktuelle Themen und Erfahrungsaustausch zwischen jungen Historiker(inne

  • 10 декабря

    Международная конференция по общему языкознанию «Наследие трудов Ю.В. Рождественского в XXI веке» — к 95-летию со дня рождения Юрия Владимировича Рождественского (1926-1999)

  • 15 декабря

    Четвертая международная научно-практическая конференция студентов и аспирантов «СМИ и журналистика: слово молодым»

  • 16 декабря

    Всероссийский уголовно-правовой форум молодых ученых имени М.Н. Гернета

  • 24 ноября – 29 декабря

    Круглый стол «Литературные события 2010-2020-х годов»

  • 4 – 5 февраля

    Всероссийская научная конференция «Философия перед лицом новых цивилизационных вызовов», приуроченная к 80-летнему юбилею воссоздания философского факультета в структуре Московского университета.

  • 21 – 22 февраля

    XVI Международная научная конференция «Сорокинские чтения» Искусственный интеллект и общественное развитие: новые возможности и преграды

Все конференции
Программы дополни-
тельного образования
ЗАПИСАТЬСЯ НА ВАКЦИНАЦИЮ
Единая поисковая система по зарубежным базам данных
Филиал МГУ в г. Сарове

Проект «Вернадский»

В МГУ показали возможность создания полевых транзисторов на основе соединения вольфрама и серы

Ученые физического факультета и Международного учебно-научного лазерного центра МГУ имени М.В.Ломоносова показали, что эффективные полевые транзисторы можно создать на основе тонкой пленки, полученной жидкофазным методом из суспензии дисульфида вольфрама. Исследование было опубликовано в Journal of Materials Science.

Полевой транзистор — это преобразователь сопротивления, который управляется напряжением электрического тока. Полевые транзисторы являются основой современной электроники: это ключевые элементы микропроцессоров, которые используются почти в любом электронном устройстве, например, электронных наручных часах, блоке питания компьютера и т.д. Обычно в полевых транзисторах в качестве полупроводника используется монокристаллический кремний, однако его производство является дорогостоящим.

После открытия графена в научном сообществе резко возрос интерес к так называемым двумерным полупроводящим материалам, в частности, к дихалькогенидам переходных металлов (ДПМ), в качестве кандидатов на роль заменителя кремния. Дихалькогениды переходных металлов — это вещества, имеющие формулу МХ2, где М — это переходный металл, а Х — сера (халькоген).

«Ученые ранее уже продемонстрировали, что частицы этих веществ обладают феноменальными электрическими характеристиками, что открывает большие возможности применения этих материалов в электронике. Однако во всех предыдущих работах исследования проводились на хлопьях ДПМ — небольших плоских частицах в несколько атомарных слоев и с продольными размерами в 100-500 нм, которые слишком малы для создания электронных устройств на практике», — поясняет один из авторов исследования, профессор кафедры общей физики и волновых процессов физического факультета МГУ, доктор физико-математических наук Дмитрий Паращук.

В данном исследовании были впервые получены тонкие пленки WS2 (дисульфида вольфрама), в которых наночешуйки расположены упорядоченно и практически параллельно подложке. В полученных из коммерческой суспензии WS2 пленках вначале было достаточно высокое остаточное содержание углерода, но он был удален с помощью отжига в парах серы в вакуумной камере. Анализ элементного состава пленки производился c помощью спектроскопии (методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния). Морфология — внешний вид поверхности — была получена с помощью атомно-силового микроскопа. Электрические характеристики были исследованы методом полевых транзисторов.

Данное исследование является первым шагом на пути к применению ДПМ в печатной электронике.

«Следующим шагом для улучшения свойств полученных из раствора пленок ДПМ будет использование неорганических растворителей, так как в органических растворителях в больших количествах содержится углерод, являющийся основной причиной ухудшения электрических свойств пленок», — заключает Дмитрий Паращук.

Работа проводилась совместно с учеными из Сколковского института науки и технологий и Центра исследований и разработок Nokia в Кембридже (Великобритания).

Рассказать об открытии можно, заполнив следующую форму.